| Arsenek galu | ||||||||||
|
||||||||||
| Ogólne informacje | ||||||||||
| Nomenklatura systematyczna (IUPAC): | ||||||||||
| Arsenek galu | ||||||||||
| Wzór sumaryczny | GaAs | |||||||||
| SMILES | Ga#As | |||||||||
| Masa molowa | 144.645 g/mol | |||||||||
| Identyfikacja | ||||||||||
| Numer CAS | 1303-00-0 | |||||||||
| PubChem | ||||||||||
|
||||||||||
| Niebezpieczeństwa | ||||||||||
| MSDS | External MSDS Zewnętrzne dane MSDS] | |||||||||
  |
||||||||||
| Klasyfikacja UE | Treść oznaczeń: T+ - silnie toksyczny N - groźny dla środowiska |
|||||||||
| Zwroty ryzyka | R: 23/25-50/53 | |||||||||
| Zwroty bezpieczeństwa | S: (1/2-)20/21-28-45-60-61 | |||||||||
| Jeżeli nie podano inaczej, dane dotyczą warunków standardowych (25°C, 1000 hPa) |
||||||||||
Arsenek galu (GaAs) - nieorganiczny związek chemiczny połączenie galu i arsenu.
Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.
Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz. Parametr półprzewodnictwa - przerwa energetyczna (w temp. 300 K) Bg = 1,424 eV.
edytuj Zastosowanie
Arsenek galu stosuje siÄ™ m.in. w produkcji:
- szybko reagujących cyfrowych i analogowych układów scalonych
- diod
- laserów
- baterii słonecznych
- fotodetektorów
- czujników pola magnetycznego
- sond biomedycznych